6
5
Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 года в белорусском городе Витебске. Физикой Жорес увлекся еще в школе, которую окончил с золотой медалью.
В 1947 году Алферов был зачислен в Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова, его специализацией стала электровакуумная техника. Учась на третьем курсе, Жорес пошел работать в лабораторию профессора Б. Козырева, где начал свои эксперименты. Так полупроводники стали главным делом его жизни.
В 1953 году, после окончания ЛЭТИ, молодой ученый был принят на работу в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. Тогда перед учеными стояла задача: создать полупроводниковые приборы для внедрения в советскую промышленность. При участии Алферова были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые приборы. В 1959 году он защитил кандидатскую диссертацию, подводившую итог десятилетней работы.
Накопленный опыт позволил ученому перейти к разработке собственной темы. В 1963 году Жорес Иванович начал изучение полупроводниковых гетеропереходов, а вскоре сформулировал новые общие принципы управления электронными и световыми потоками в гетероструктураx.
Благодаря исследованиям Алферова, мир получил мобильные телефоны, проигрыватели компакт-дисков, светодиоды, солнечные батареи и волоконно-оптические линии связи. А открытия ученого позволили кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать новые и перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.
В 1970 году Алферов защитил диссертацию, обобщив этап последних исследований, и получил степень доктора физико-математических наук. В 1972 году он стал профессором, а через год — заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ.
В начале 1990-х годов одним из основных направлений работ, проводимых под руководством Алферова, становится получение и исследование свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. Его исследования заложили основы принципиально новой электроники с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».
В 2000 году Жорес Алферов стал лауреатом Нобелевской премии по физике за разработки в полупроводниковой технике, разделив ее с учеными Г. Крёмером и Д. Килби. Также за свои исследования он награждён многими орденами и медалями, был членом Академий наук разных стран, обладателем различных наград и многих премий, как России, так и других стран.
Вице-президент РАН (1991-2017), Председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, активный общественный деятель, академик Жорес Алферов — автор более 500 научных работ, трех монографий и 50 изобретений.
Он учредил Фонд поддержки талантливой учащейся молодежи, для содействия её профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки, являлся ректором-организатором нового Академического университета и сопредседателем Консультативного научного Совета Фонда «Сколково».
«Будущее России — наука и технологии, а не распродажа сырья. И будущее страны не за олигархами, а за кем-то из моих учеников», — говорил он.
В 1947 году Алферов был зачислен в Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова, его специализацией стала электровакуумная техника. Учась на третьем курсе, Жорес пошел работать в лабораторию профессора Б. Козырева, где начал свои эксперименты. Так полупроводники стали главным делом его жизни.
В 1953 году, после окончания ЛЭТИ, молодой ученый был принят на работу в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. Тогда перед учеными стояла задача: создать полупроводниковые приборы для внедрения в советскую промышленность. При участии Алферова были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые приборы. В 1959 году он защитил кандидатскую диссертацию, подводившую итог десятилетней работы.
Накопленный опыт позволил ученому перейти к разработке собственной темы. В 1963 году Жорес Иванович начал изучение полупроводниковых гетеропереходов, а вскоре сформулировал новые общие принципы управления электронными и световыми потоками в гетероструктураx.
Благодаря исследованиям Алферова, мир получил мобильные телефоны, проигрыватели компакт-дисков, светодиоды, солнечные батареи и волоконно-оптические линии связи. А открытия ученого позволили кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать новые и перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.
В 1970 году Алферов защитил диссертацию, обобщив этап последних исследований, и получил степень доктора физико-математических наук. В 1972 году он стал профессором, а через год — заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ.
В начале 1990-х годов одним из основных направлений работ, проводимых под руководством Алферова, становится получение и исследование свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. Его исследования заложили основы принципиально новой электроники с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».
В 2000 году Жорес Алферов стал лауреатом Нобелевской премии по физике за разработки в полупроводниковой технике, разделив ее с учеными Г. Крёмером и Д. Килби. Также за свои исследования он награждён многими орденами и медалями, был членом Академий наук разных стран, обладателем различных наград и многих премий, как России, так и других стран.
Вице-президент РАН (1991-2017), Председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, активный общественный деятель, академик Жорес Алферов — автор более 500 научных работ, трех монографий и 50 изобретений.
Он учредил Фонд поддержки талантливой учащейся молодежи, для содействия её профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки, являлся ректором-организатором нового Академического университета и сопредседателем Консультативного научного Совета Фонда «Сколково».
«Будущее России — наука и технологии, а не распродажа сырья. И будущее страны не за олигархами, а за кем-то из моих учеников», — говорил он.
×
Новости партнёров
реклама
